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聚合物聚集態(tài)形式
點(diǎn)擊次數(shù):531 更新時(shí)間:2023-06-08

聚合物聚集態(tài)形式研究的意義?

高分子的聚集態(tài)結(jié)構(gòu)是指高分子鏈之間的排列和堆砌結(jié)構(gòu),也稱為超分子結(jié)構(gòu)。高分子材料的使用性能很大程度上決定于在成型加工過程中所形成的聚集態(tài)結(jié)構(gòu),對高分子材料聚集態(tài)結(jié)構(gòu)信息的研究有助于人們更加深入地理解高分子材料的結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系,從而更好的指導(dǎo)高分子材料的應(yīng)用研發(fā)。

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傳統(tǒng)聚合物聚集態(tài)形式測量技術(shù)

目前檢測高分子材料聚集態(tài)結(jié)構(gòu)的方法有差式量熱掃描法(dsc)、x射線衍射法、頻域核磁共振法等。差式量熱掃描法在使用過程中需要通入氮?dú)庾鳛楸Wo(hù)氣體,使得設(shè)備復(fù)雜,并且該方法只能檢測兩相結(jié)構(gòu),不能檢測出中間相。x射線衍射法的儀器設(shè)備價(jià)格昂貴,數(shù)據(jù)處理過程中存在分峰不準(zhǔn)的問題。頻域核磁共振法的儀器設(shè)備價(jià)格昂貴,裝樣過程繁瑣,數(shù)據(jù)處理時(shí)也存在分峰不準(zhǔn)的問題。

 

時(shí)域核磁共振技術(shù)測量聚合物聚集態(tài)形式

高分子材料中廣泛存在著氫原子核,這些氫核周圍的化學(xué)環(huán)境、磁場環(huán)境并不完-全相同,在時(shí)域核磁共振譜儀上處在不同環(huán)境下的氫核有各自特征性的信號位置及信號強(qiáng)度。通過時(shí)域核磁共振測試不同環(huán)境下的氫核的信號位置及強(qiáng)度,就可以反演出氫核所處的環(huán)境,許多處在同樣環(huán)境下的氫核的信號就代表了整個(gè)同類氫核的環(huán)境,同類氫核所處的環(huán)境被定義為相區(qū)。通過信號個(gè)數(shù)、位置及強(qiáng)度可以反映相區(qū)的數(shù)量、相區(qū)內(nèi)分子運(yùn)動性和相區(qū)大小(含量),也即反映聚集態(tài)結(jié)構(gòu)。

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核磁共振變溫分析儀VTMR20-010V-I


核磁共振技術(shù)測量聚合物聚集態(tài)形式的優(yōu)勢

非侵入性:低場核磁共振技術(shù)是一種非侵入性的檢測方法,不需要對樣品做測試前處理

高分辨率:低場核磁共振技術(shù)可以提供高分辨率的測試結(jié)果,可以清晰地觀察到組織中的氫原子結(jié)構(gòu)和動態(tài)變化。

高靈敏度:低場核磁共振技術(shù)可以檢測到微小的變化,因此可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度的測試。

無輻射:低場核磁共振技術(shù)是一種無輻射的檢測方法,對人體無害。

高速度:低場核磁共振技術(shù)可以在較短的時(shí)間內(nèi)完成測試,因此可以滿足實(shí)時(shí)監(jiān)測的需求。